项目单位:山西烁科晶体有限公司
项目简介:碳化硅单晶材料产业化项目面向军用及5G通信领域高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底的迫切需求,开展SiC材料生长炉制造技术、高纯度原粉制备技术、单晶高速高质量生长与规模化制备技术、“开盒即用”级加工检测技术研究,实现7.5万片/年的碳化硅衬底产能。项目技术骨干团队65人,其中博士8人,硕士40人,研究员级高级工程师3人,高级工程师10人。项目可新增产值4亿元,新增税收500万元,通过管理水平提升,提高产品成品率、一致性及稳定性,降低产品价格,使之具备更强市场竞争力。成果将满足5G基站、二代导航、四代机、各种雷达等所需器件对于碳化硅单晶衬底材料的需求,打破国外禁运限制。
责任编辑:李敏